| Explore MOSFET, HEMT GaN, convertidores CC/CC y amplificadores de sensor de corriente |
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Explore MOSFET, HEMT GaN, convertidores CC/CC y amplificadores de sensor de corriente
| Los MOSFET de potencia de la serie RS7 de ROHM se caracterizan por su baja resistencia en estado encendido, alta disipación de potencia y embalaje robusto, lo que los hace ideales para una gran variedad de aplicaciones. | | | | |
| El AW2K21 de ROHM es un MOSFET de canal N de 30 V que ofrece una resistencia de encendido ultrabaja líder en la industria de solo 2,0 mΩ (típico) en un paquete compacto de 2,0 mm x 2,0 mm. | | | | |
| El MOSFET de potencia de canal N RY7P250BM de ROHM Semiconductor está diseñado con baja resistencia a la conexión y alojado en un encapsulado DFN8080-8S de alta potencia. | | | | |
| Los CI de convertidores de CC/CC de tipo DWM BD28C5xFJ-LB de ROHM Semiconductor admiten dispositivos aislados y no aislados. | | | | |
| Los CI de etapa de potencia EcoGaN de ROHM son ideales para fuentes de alimentación primaria dentro de aplicaciones industriales y de consumo. | | | | |
| Los amplificadores de detección de corriente de alta precisión de la serie BD142xx de ROHM cuentan con la certificación AEC-Q100, lo que garantiza una gran fiabilidad y rendimiento en entornos automotrices. | | | | |
| Los HEMT de GaN de 650 V de ROHM aumentan la eficiencia y la miniaturización en un amplio rango de fuentes de alimentación, incluidos servidores y adaptadores de CA. | | | | |
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