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MOSFET DE SiC DE 5.ª GENERACIÓN CON UNA RESISTENCIA EN CONDUCCIÓN
~30 % MENOR |
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ROHM presenta sus MOSFET de SiC de 5ª generación, caracterizados por una reducción de aproximadamente el 30 % de la on-resistencia en conducción a altas temperaturas, lo que supone un importante avance para las aplicaciones de potencia de alta eficiencia energética. Diseñados para aplicaciones exigentes, como inversores de tracción para vehículos eléctricos, servidores de IA y sistemas industriales de alimentación, los nuevos dispositivos permiten aumentar la densidad de potencia, reducir el tamaño de los sistemas y minimizar las pérdidas de energía. Descubra las ventajas que ofrece esta nueva generación de tecnología SiC para la movilidad y las infraestructuras de próxima generación. |
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ROHM @ PCIM 2026: AVANCES EN SiC
PARA LA MOVILIDAD ELÉCTRICA
Y LA INDUSTRIA |
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Como referente consolidado en el mercado de los semiconductores de potencia, ROHM no podía faltar a la PCIM de este año en Núremberg. Encontrará a ROHM una vez más en el pabellón 9, esta vez en una nueva ubicación y con un stand de diseño completamente renovado. Le invitamos cordialmente a intercambiar impresiones con nuestros expertos sobre soluciones SiC y GaN y a descubrir interesantes aplicaciones de referencia, acompañado de un café recién preparado por nuestro barista. Visítenos en el pabellón 9, stand 318… |
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Revista Española de Electrónica
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